STT5PF20V - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STT5PF20V技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为寻找一颗性能可靠、尺寸小巧的P沟道MOSFET而烦恼？想象一下，一个仅SOT-23-6封装的器件，却能稳健承载高达5A的连续电流，将导通电阻控制在极低的80毫欧水平这并非遥不可及的技术幻想，而是STT5PF20V为您带来的现实价值。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出成员，这颗芯片以其卓越的电气特性，正重新定义着小尺寸功率器件的性能标准。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间受限的电池管理系统，STT5PF20V都能游刃有余。其20V的漏源电压和低至2.5V的驱动门槛，让它在单节锂电或3.3V/5V系统中表现尤为出色，轻松实现电源路径的智能通断与保护。在电机驱动辅助电路、DC-DC转换器的同步整流侧，或是任何需要P沟道器件进行高端开关的场合，它都能确保能量高效、低损耗地传输，显著提升终端产品的整体续航与热表现。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而安静的心脏。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于信赖这颗芯片？答案在于其背后深厚的性能底蕴与可靠性保障。极低的栅极电荷（仅4.5nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统响应更为迅捷。高达150°C的结温工作能力，赋予了它在严苛环境下稳定运行的底气。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典和持续生产项目中最值得信赖的选择之一。通过我们专业的ST代理渠道，您依然可以获取到高品质的货源与全面的技术支持，确保您的生产计划无缝衔接。让STT5PF20V以其久经考验的卓越性能，成为您产品竞争中那个低调却至关重要的制胜筹码。

型号:STT5PF20V
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-23-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
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还在为空间紧张却需要强大开关能力的电路发愁吗？STT5PF20V正是为您解忧的利器。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，在微小的SOT-23-6封装内，集成了20V耐压和高达5A的连续电流处理能力，让您能在极紧凑的布局中实现高效、可靠的电源开关与控制。

它拥有极低的导通电阻（典型值80毫欧@2.5A, 4.5V），能显著减少导通损耗，提升系统效率。同时，其低栅极电荷和宽泛的驱动电压范围（2.5V至4.5V），让您能够轻松驱动，实现快速、平滑的开关动作，非常适合电池供电设备、负载开关、电源管理模块等应用。选择STT5PF20V，就是选择了一颗能让您的设计更高效、更精简的核心器件。