STU12N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU12N60M2技术参数详情：

当您需要在高电压应用中实现高效能与可靠性的完美平衡时，是否曾为选择一款合适的功率开关器件而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STU12N60M2。这颗N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达9A的连续漏极电流，为您的高要求设计铺平了道路。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、降低整体能耗、并最终赢得市场的关键动力引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动与照明镇流器中，STU12N60M2正在默默发挥着核心作用。它凭借MDmesh M2超结技术的强大基因，实现了极低的导通电阻（Rds(on)典型值远低于450毫欧）和优异的开关特性。这意味着在频繁的开关动作中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统运行更加凉爽稳定。无论是工业自动化设备中驱动电机平稳运转，还是消费类电子产品的适配器实现高效电能转换，它都能游刃有余，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STU12N60M2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其坚固的I-PAK通孔封装，确保了出色的功率耗散能力（高达85W）和长期工作的可靠性，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计变得更为简单，帮助您加速产品开发周期，更快地将创意转化为现实。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能强劲的芯片，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。让STU12N60M2成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

型号:STU12N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:85W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、同时保持高效开关性能的功率开关？STU12N60M2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M2技术，让您在开关电源、电机驱动等应用中，显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗N沟道MOSFET拥有9A的强劲电流处理能力，配合优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让驱动设计变得异常简单。它采用坚固的I-PAK封装，确保高达85W的功率耗散能力，为您提供从-55°C到150°C的宽广工作温度范围内的稳定表现。选择STU12N60M2，就是选择了一个让您设计更省心、产品更具竞争力的高效能核心。