STU13N65M2

在追求更高能效和可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统表现的高压功率MOSFETSTU13N65M2。它不仅仅是一个组件，更是您实现高效、紧凑且可靠电源解决方案的关键赋能者。基于意法半导体备受赞誉的MDmesh M2技术平台，这颗芯片在650V的额定电压和10A的连续电流能力下，展现了卓越的性能平衡，专为应对苛刻的工业环境而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STU13N65M2正在静默而高效地工作。其低至430毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）特性则确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗。这两者的结合，直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业照明中的LED驱动，它都能提供稳定、持久的功率切换核心。

选择STU13N65M2，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。其IPAK（TO-251）通孔封装兼顾了良好的散热能力和易于生产的工艺需求，最高150°C的结温（TJ）提供了宽裕的设计余量。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得有保障的库存，用于现有产品的维护或特定项目的延续开发。它代表了一个技术成熟期的价值典范，以经过千锤百炼的设计，确保您的最终产品具备卓越的稳定性和成本效益，是工程师在构建高性价比、高可靠性功率系统时的明智之选。

• 型号:STU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU13N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

当您需要一颗能在高压下稳定工作、同时保持高效低耗的功率开关时，STU13N65M2正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其650V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您轻松应对开关电源、电机控制等应用中的功率处理挑战。

它采用了先进的MDmesh M2技术，实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。这意味着它能显著降低系统的导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更可靠。其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的工作结温，进一步确保了在严苛环境下的长期稳定运行。