STU6NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU6NF10技术参数详情：

当您的电源转换系统需要兼顾效率与成本时，是否曾为寻找一颗性能均衡、稳定可靠的功率开关器件而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET系列中的明星产品STU6NF10。这颗N沟道MOSFET以其100V的耐压能力和6A的连续漏极电流，为您在中等功率应用领域提供了一个堪称完美的解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STU6NF10都能凭借其低至250毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让整体效率轻松攀升。在电机驱动控制板上，无论是小型风扇还是泵类设备，其快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，确保了驱动响应迅捷且能在严苛环境下稳定运行。对于DC-DC转换器、电池保护电路或是照明镇流器而言，这颗芯片的稳健表现，意味着更长的使用寿命和更低的故障率，直接为您的终端产品赢得市场口碑。

选择STU6NF10，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其采用的先进STripFET技术，在硅片层面实现了卓越的功率密度和开关性能平衡。仅需10V的驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Qg）低至14nC，这大大减轻了驱动电路的压力，让您的设计更简洁，系统更高效。通孔I-PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也兼容成熟的焊接工艺，便于生产制造。我们遍布全国的ST代理商网络，能为您提供从样品申请到批量供货的全方位支持，确保您的项目从研发到量产一路畅通。立即体验STU6NF10带来的性能飞跃，为您的下一个设计注入强大动力！

型号:STU6NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为功率开关器件的选型犹豫不决吗？让意法半导体的STU6NF10为您开启高效、可靠的设计新篇章。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任100V/6A的中等功率场景，其核心价值在于，它能让您的电源转换系统损耗更低、响应更快、运行更稳定。

得益于先进的STripFET技术和低至250毫欧的导通电阻，它能显著减少导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷（仅14nC）让驱动变得轻而易举，简化您的电路设计。无论是面对-65°C到175°C的宽温工作挑战，还是需要持久的功率处理能力（30W），STU6NF10都游刃有余，是您打造高品质开关电源、电机驱动和DC-DC转换器的理想选择。