STU7LN80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU7LN80K5技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当800V的严苛电压与5A的持续电流成为常态需求，选择一颗能够游刃有余应对挑战的MOSFET，就是决定产品成败的关键一步。现在，让我们向您隆重介绍STU7LN80K5，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率器件，正是为打破瓶颈、释放潜能而生。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，它如何稳定工作。其800V的高漏源电压额定值，为您提供了充裕的设计余量和强大的抗电压冲击能力，即使在电网波动或复杂负载条件下也能稳如磐石。而5A的连续漏极电流承载能力，结合仅为1.15欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是工业级的严苛环境，还是消费电子对紧凑空间与散热的要求，它都能完美适配。

选择STU7LN80K5，您选择的不仅仅是一个组件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。其采用的先进MDmesh技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡，极低的栅极电荷（仅12nC）让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端温度下的卓越稳定性。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商网络，随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。立即体验STU7LN80K5带来的能效飞跃与设计自由，让您的下一代产品在竞争中脱颖而出。

型号:STU7LN80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:85W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？STU7LN80K5 N沟道MOSFET正是您的理想解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术打造，拥有800V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机控制等高压高频应用。极低的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关动作，不仅提升了整体能效，还有助于简化您的驱动电路设计。采用坚固的TO-251（IPAK）封装，提供出色的功率耗散能力，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，是您打造高可靠性、高性价比产品的得力助手。