STU7NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU7NM60N技术参数详情：

当您的电源设计需要在效率与成本之间找到完美平衡点时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STU7NM60N。这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和5A的连续电流，正在重新定义中功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STU7NM60N如何大显身手。其核心优势在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻在10V驱动下仅900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度。无论是面对工业照明驱动器的严苛要求，还是家用电器辅助电源的紧凑空间，它都能以出色的热性能和电气稳定性，确保系统长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了ST的工业级基因。

为何众多工程师在众多选项中独钟于此？答案在于其卓越的综合价值。高达45W的功率耗散能力与150°C的结温，赋予了它应对浪涌和过载的充足余量。极低的栅极电荷（14nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统在更高频率下工作也能保持高效，从而有可能减少磁性元件的体积和成本。通孔IPAK封装兼顾了散热性能与焊接可靠性，是经过市场长期验证的经典选择。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让STU7NM60N成为您下一个成功设计的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

型号:STU7NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能同时驾驭600V高压和数安培电流，且效率出众的功率开关吗？STU7NM60N正是为此而生。这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机控制设计变得更简单、更高效。

它凭借仅900毫欧的低导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快、损耗更小，使您能够轻松应对PFC、反激式转换器等中功率应用挑战。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期稳定运行，是您打造可靠、高性能产品的理想选择。