STU80N4F6

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够承载80A大电流、同时将导通电阻压至极低的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。现在，答案就在眼前STU80N4F6，这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，正是为高效、可靠的功率转换而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要爆发力与持久性兼备的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和效率双重要求的DC-DC转换，STU80N4F6都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达80A的连续电流能力，为各种中低压、大电流应用提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它采用了先进的STripFET VI和DeepGATE技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的6.3毫欧。这意味着更少的导通损耗，更低的温升，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时，我们的ST授权代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。

选择STU80N4F6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其极低的栅极电荷（仅36nC）和输入电容，让开关速度更快，开关损耗进一步降低，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了它在严苛环境下的稳定表现。经典的TO-251封装兼顾了功率处理能力和安装便利性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在特定存量市场和备件需求中依然极具价值。它代表了一个时代的技术精华，是您优化经典设计、保障供应链延续性的智慧之选。

• 型号:STU80N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU80N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、压住低损耗的“中流砥柱”吗？STU80N4F6 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它凭借高达80A的电流承载能力和低至6.3毫欧的导通电阻，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，发热大幅降低。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的同步整流电路更冷静，让您的电机驱动更强劲，让您的DC-DC转换器更高效。其快速的开关特性（栅极电荷仅36nC）轻松应对高频工作，而宽广的工业级温度范围则确保了在各种环境下都稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体DeepGATE技术的强大基因。