STV160NF02LAT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STV160NF02LAT4技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STV160NF02LAT4。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达160A的连续漏极电流和仅为2.7毫欧的超低导通电阻，重新定义了20V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的强大引擎。

想象一下，在服务器电源模块中，它如何以极低的损耗处理汹涌的电流，将更多电能高效输送，同时显著降低散热需求；在高端电动工具或无人机的大功率电机驱动电路中，它迅捷的开关响应和强大的电流吞吐能力，让动力输出瞬间澎湃，操控响应如臂使指。无论是数据中心里7x24小时不间断运行的冗余电源，还是户外严苛环境下工作的便携式储能设备，STV160NF02LAT4都能凭借其出色的热性能（结温高达175°C）和稳定的表面贴装封装，确保系统长期可靠、坚如磐石。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体STripFET技术的卓越基因。

为何众多工程师在关键项目中信赖这款芯片？答案在于其无与伦比的综合价值。在5V或10V的低驱动电压下即可实现全导通，极大简化了驱动电路设计，节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要，能直接提升电源的功率密度和动态响应。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在存量应用和特定高端项目中依然极具吸引力。要获取这颗性能猛兽或探讨替代方案，请联系专业的ST芯片代理，他们能为您提供全面的技术支持和可靠的供应链服务，确保您的创新之旅畅通无阻。

型号:STV160NF02LAT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:10-PowerSO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:210W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:10-PowerSO
封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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您正在设计需要处理超大电流的同步整流、电机驱动或负载开关电路吗？STV160NF02LAT4正是为您而生的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达160A的持续电流，而其惊人的2.7毫欧超低导通电阻，意味着在您的大功率应用中，电能损耗将被降至最低，系统发热更少，效率显著提升。

它采用先进的STripFET技术，在仅需5V或10V的驱动电压下就能发挥最佳性能，让您的驱动电路设计变得异常简单。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现高频高效的电能转换。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的高功率密度设计挑战，选择它，就是选择了可靠、高效与卓越。