STV160NF02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STV160NF02LT4技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STV160NF02LT4，正是意法半导体STripFET II系列中的一颗璀璨明珠，它用高达160A的连续漏极电流能力和低至2.5毫欧的导通电阻，重新定义了20V级别MOSFET的性能标杆。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换模块或电动工具的无刷电机驱动中，能量转换的每一丝损耗都意味着发热的增加和整体效率的下降。STV160NF02LT4凭借其卓越的RdsOn表现，能显著降低导通状态下的功率损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无用的热量。其10V驱动电压下的优异特性，配合优化的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，这对于提升开关频率、减小外围磁性元件尺寸至关重要，让您的电源设计在性能和成本间找到最佳平衡点。

选择STV160NF02LT4，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。它采用坚固的10-PowerSO封装，具备出色的热性能，结温高达175°C，配合210W的功率耗散能力，足以应对严苛环境下的持续工作挑战。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的参数依然是许多经典和特定应用方案的优选，通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案咨询，确保项目供应链的稳定。它代表的是一种设计哲学：用最精悍的器件，释放最强大的能量，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

型号:STV160NF02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:10-PowerSO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:210W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:10-PowerSO
封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STV160NF02LT4正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的160A连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至2.5毫欧的导通电阻。这意味着在您的大电流路径上，它能将导通损耗降至极低，让电能几乎毫无阻碍地通过，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。

它采用先进的STripFET II技术，在10V驱动电压下表现尤为出色。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关动作既迅速又干净，帮助您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小变压器和电感等磁性元件的体积。无论是用于同步整流、电机驱动还是高密度电源模块，它都能让您的设计更紧凑、更高效、更可靠。