STW15N80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW15N80K5技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的高功率应用中，您是否仍在为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够同时驾驭800V高压与14A大电流，却能将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STW15N80K5，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET凭借其革命性的SuperMESH5技术，实现了导通电阻与栅极电荷的卓越平衡。375毫欧的超低Rds(on)意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。与此同时，仅32nC的低栅极电荷确保了极快的开关速度，让您的系统能够以更高的频率稳定运行，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，为产品小型化与轻量化铺平道路。高达190W的功率耗散能力，配合经典的TO-247封装，为散热设计提供了坚实的基础，确保即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内，性能依然坚如磐石。

无论是工业级开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路，还是电机驱动、电焊机、不间断电源(UPS)等要求严苛的领域，STW15N80K5都能游刃有余。它让您的服务器电源效率再攀新高，助力数据中心降低巨额电费；它让新能源充电桩的功率模块运行更稳定、更安静；它甚至能成为高端音频功放中能量转换的可靠心脏。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与耐久的基因。

为何众多领先制造商将STW15N80K5作为首选？答案在于其无可比拟的综合价值。它不仅仅是一个参数出色的晶体管，更是一个经过市场验证的解决方案。意法半导体强大的技术背景和全球供应链，保障了产品的一致性与长期供货稳定性。当您通过官方授权的ST代理商进行采购时，您获得的不仅是正品保障和专业技术支持，更是将项目风险降至最低的明智决策。立即采用STW15N80K5，让它成为您下一代高性能电源设计中，最值得信赖的功率开关选择，共同开启能效新纪元。

型号:STW15N80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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还在为高压大电流应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STW15N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和14A的强劲电流处理能力，专为挑战高效功率转换而设计。

它的核心魅力在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（仅375mΩ）大幅削减导通损耗，而优化的栅极电荷（32nC）则确保了迅猛的开关速度。这意味着，您能轻松构建出效率更高、发热更少、频率更高的电源系统。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代紧凑型电源，它都能让您的设计游刃有余，可靠应对从工业电源到新能源设备的各类严苛场景。