STW20N95K5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STW20N95K5。它不仅仅是一个MOSFET，更是您迈向高效能、高可靠性电源系统的关键一步。凭借其950V的超高耐压和仅为330毫欧的极低导通电阻，这颗芯片在高压环境下依然能保持惊人的低损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理数百伏的电压和数十安的电流。STW20N95K5正是为此而生。其卓越的SuperMESH5技术确保了在高压开关过程中快速、干净的切换，极大减少了开关损耗和电磁干扰。这意味着您的设备不仅能更稳定地运行，还能轻松满足日益严格的能效标准。无论是面对突发的电压尖峰，还是长时间满负荷工作，它都能游刃有余，为您的核心设备筑起一道坚固的电力防线。

选择STW20N95K5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其高达250W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽工作温度范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性与长期可靠性。从原型设计到量产，这颗芯片都能帮助您缩短开发周期，降低系统综合成本。更重要的是，通过我们专业的ST代理渠道，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持与供应链服务，让您的创新之路畅通无阻。立即体验STW20N95K5带来的变革力量，让您的下一款产品赢在起跑线上。

• 型号:STW20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW20N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率与发热问题烦恼吗？让STW20N95K5来为您解决！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和17.5A的连续电流能力，却能将导通电阻控制在极低的330毫欧。这意味着它能让您的电源或电机驱动系统以更低的损耗运行，直接提升整体能效，并显著降低散热需求。

更令人惊喜的是，其优化的栅极电荷（仅40nC）和输入电容，让开关过程更快、更干净，从而减少开关损耗和噪声干扰。无论是设计工业电源、新能源逆变器还是高端充电设备，STW20N95K5都能让您轻松实现高效、紧凑且可靠的设计方案，助您的产品在性能与成本之间找到完美平衡点。