STW25N95K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW25N95K3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的高功率应用中，您是否仍在为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STW25N95K3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达950V的漏源电压和22A的连续漏极电流能力，为您的高压大电流设计树立了新的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率UPS系统中，STW25N95K3正以其卓越的性能大显身手。其采用的先进SuperMESH3技术，将导通电阻（RDS(on)）降至极低的360毫欧，这意味着在传导过程中的能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端。更低的损耗直接转化为更少的热量产生，让您的系统即使在严苛的工况下也能保持冷静，显著提升了功率密度和长期可靠性。无论是应对电网波动还是负载突变，其稳健的电气特性都能提供坚实的保障。

选择STW25N95K3，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体深厚的工艺积累确保了每一颗芯片都具备卓越的一致性和耐久性。其TO-247封装不仅提供了出色的散热能力，高达400W的功率耗散上限也让您的热设计游刃有余。尽管该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性。这颗芯片的价值，在于它能让您的产品以更低的运营成本、更高的能源转换效率和无可挑剔的稳定性，在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的长期信赖。

型号:STW25N95K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 950V 22A TO247
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 150A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3680 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:400W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持高效冷静的核心功率开关吗？STW25N95K3正是为此而生。它基于ST先进的SuperMESH3技术，拥有950V的超高耐压和22A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源逆变器时，底气十足，轻松应对高压挑战。

这颗芯片的精髓在于其极低的360毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，将更多电能高效输送，直接帮助您提升整机效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快更干净，进一步降低开关损耗。结合TO-247封装优秀的散热表现，它能帮助您的系统运行得更凉爽、更稳定，有效延长产品寿命，是您打造高可靠性、高竞争力功率平台的理想选择。