STW25NM60N

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？现在，让我们为您介绍一个曾经在工业电源和电机驱动领域立下汗马功劳的经典解决方案STW25NM60N。虽然它目前已进入停产状态，但其卓越的性能和久经考验的可靠性，至今仍在许多存量项目和经典设计中闪耀着价值。选择它，意味着选择了一份经过市场严苛验证的稳定与高效。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动器或UPS不间断电源系统中，一颗功率开关器件正承受着高电压、大电流的反复冲击。STW25NM60N正是为此类严苛应用而生。它凭借600V的漏源电压和21A的连续漏极电流能力，为系统构筑起坚固的防线。其核心采用的MDmesh II技术，绝非简单的参数堆砌，而是意法半导体对低导通电阻与优异开关特性平衡艺术的深刻理解。这意味着在相同的功率等级下，它能有效降低导通损耗，让电能更顺畅地通过，从而直接转化为更低的温升和更高的整体能效，为您的设备赢得市场竞争的关键优势。

当您需要为现有的经典产品线寻找可靠、性能一致的备件或进行设计维护时，STW25NM60N依然是值得信赖的选择。其TO-247-3封装提供了出色的散热路径，结合高达160W的功率耗散能力，让散热设计更加从容。尽管已停产，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然有机会获取到原装正品，确保您的生产延续性或维修质量不打折扣。这颗芯片代表的不仅是一个元件，更是一个时代对高可靠性功率设计的承诺，选择它，就是为您的产品注入一份历经时间沉淀的稳定基因。

• 型号:STW25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW25NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找能够扛起高效功率转换重任的核心开关吗？STW25NM60N正是您值得关注的经典之选。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/21A的强悍规格，旨在让您轻松应对工业电源、电机驱动等应用中的高压大电流挑战。

它的魅力在于卓越的效能平衡。仅160毫欧的低导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您的驱动电路设计更高效，系统运行更稳定可靠。虽然已停产，但其经典设计在要求高可靠性的存量市场中依然价值非凡。