STY50N105DK5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压、大电流应用下的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个颠覆性的解决方案STY50N105DK5。这颗来自ST意法半导体SuperMESH5家族的明星产品，以其高达1050V的漏源电压和44A的连续漏极电流，重新定义了高压MOSFET的性能边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您实现系统效率跃升、构建坚固耐用电源架构的基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理数百乃至上千伏的电压，同时承载数十安培的电流。STY50N105DK5正是为此而生。其极低的120毫欧导通电阻（在22A，10V条件下），意味着在导通状态下的功率损耗被大幅削减，更多的电能被有效转换而非浪费为热量。结合其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），它能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频开关下依然保持冷静与高效，轻松应对功率密度不断提升的挑战。

选择STY50N105DK5，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。它继承了ST SuperMESH5技术的全部精髓，在雪崩耐量和开关鲁棒性上表现出众，确保系统在异常电压冲击下安然无恙。高达625W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它无与伦比的可靠性，即使在最恶劣的环境下也能持续稳定运行。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是顶级品质的硬件，更是完整的技术支持链和供应保障，让您的产品从设计到量产全程无忧。立即采用STY50N105DK5，为您的下一个功率设计注入强劲动力与非凡可靠性！

• 型号:STY50N105DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY50N105DK5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大功率设计的效率瓶颈寻找突破口吗？STY50N105DK5就是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达1050V的电压和44A的电流，让您的电源转换系统在高效与可靠之间达到完美平衡。

它为您带来的核心价值是极致的能效提升。其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，而优化的动态参数（如栅极电荷）则确保了快速、干净的开关行为，从而降低开关损耗。这意味着您的系统整体发热更少，效率更高，功率密度得以大幅提升。无论是面对工业驱动、可再生能源转换还是高端电源的挑战，STY50N105DK5都能让您以更小的散热负担，实现更强大的功率输出。

此外，其坚固的MAX247封装和宽广的工作温度范围，为您提供了应对严苛环境挑战的信心。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，让设计更简单，让性能更出众。