STW26NM50

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否仍在为高电压、大电流下的开关损耗和散热难题而困扰？现在，一个经过市场验证的强大解决方案正静待您的发掘STW26NM50。这款源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的卓越耐压能力和高达30A的连续漏极电流，为工程师们提供了征服严苛应用的信心基石。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、迈向更高功率密度的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高效照明镇流器等核心应用中，STW26NM50正发挥着中流砥柱的作用。其MDmesh技术精髓在于显著降低了导通电阻（Rds(on)），在13A、10V条件下典型值仅为120毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，确保了快速、干净的开关行为，有效减少了开关损耗。当您的设计需要在高温环境下稳定运行时，它高达150°C的结温和TO-247-3封装带来的出色散热能力，让系统可靠性再无后顾之忧。

选择STW26NM50，就是选择了一份经过时间淬炼的成熟与稳定。尽管它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在众多成功产品中不可替代的价值与卓越表现。对于升级现有设计或寻求高性价比、高可靠性方案的您而言，它无疑是经过千锤百炼的优选。要获取这颗性能强悍的芯片及其专业的技术支持，请务必通过官方ST授权代理渠道进行采购，确保产品原装正品与供应链的稳定可靠。让STW26NM50以其强大的功率处理能力和久经考验的耐用性，为您的下一个项目注入强劲动力与安心保障。

• 型号:STW26NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW26NM50，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持冷静高效的功率开关吗？STW26NM50正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和30A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它采用坚固的TO-247-3封装，散热性能优异，结温高达150°C，确保在恶劣环境下也能稳定工作。无论是简化您的热管理设计，还是提升系统的功率密度与可靠性，STW26NM50都能让您轻松应对挑战，是实现高效、紧凑型功率设计的得力助手。