STW32NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承载高功率又能保持冷静运行的“心脏”？STW32NM50N正是为此而生。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命并降低综合成本的关键赋能者。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗功率MOSFET以其卓越的导通电阻与栅极电荷优化组合，在500V的高压舞台上实现了惊人的效率飞跃，让能量转换过程中的每一分损耗都降到更低。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源领域的太阳能逆变器中，稳定与高效是永恒的追求。STW32NM50N凭借其22A的连续漏极电流和190W的强大功率处理能力，能够轻松应对这些严苛应用中的峰值负载与持续工作压力。其TO-247封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，更确保了出色的热传导性能，即使在工作温度高达150°C的结温下，依然能保持稳定输出，为您的系统构筑起坚实的安全防线。

选择STW32NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它极低的130毫欧导通电阻（最大值）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。同时，优化的栅极驱动特性让开关控制更为迅捷精准，有助于简化您的驱动电路设计。无论您是资深工程师还是正在寻找可靠解决方案的决策者，这颗芯片都能显著降低您的开发风险与运维成本。如需获取样品、技术支援或批量采购，我们推荐您联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位支持，助您的新项目快人一步，赢在起点。

• 型号:STW32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW32NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率与散热问题烦恼吗？让STW32NM50N为您带来变革性的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，拥有500V的漏源电压和22A的连续电流能力，旨在让您的电源转换和电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

它通过将导通电阻显著降低至仅130毫欧（最大值），并优化栅极电荷，直接为您大幅削减开关和导通损耗。这意味着，您不仅能轻松提升整体能效，还能有效简化散热设计，降低系统复杂性与成本。其坚固的TO-247封装和高达150°C的工作结温，确保了在严苛环境下的长期可靠运行。

选择STW32NM50N，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“芯”，让您从容应对功率挑战，专注于实现更卓越的产品性能。