STW35N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时将损耗降至最低的功率开关？STW35N60M2-EP正是为此而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一颗明星，专为应对严苛的工业环境而设计。其600V的漏源电压和高达26A的连续漏极电流，为您构建坚固的功率转换核心提供了坚实的基础，让您在追求高功率密度的道路上，拥有一个值得信赖的伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至电焊机等关键应用中，每一次开关都关乎系统的整体效能与寿命。STW35N60M2-EP凭借其先进的MDmesh M2-EP技术，在导通电阻和开关损耗之间取得了卓越的平衡。这意味着，在您的高频开关电源设计中，它能显著减少热量产生，提升整体能效，让系统运行更凉爽、更持久。其TO-247封装不仅提供了优异的散热能力，也确保了在通孔安装时的机械稳固性，完美适配那些对长期可靠性有极致要求的工业级产品。

选择STW35N60M2-EP，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为特定存量项目或对长期供应有规划的经典设计之优选。它代表了在一个成熟且经过考验的技术节点上所能达到的稳定与高效。对于正在寻找此类高性能、高可靠性解决方案的工程师而言，通过值得信赖的ST中国代理进行咨询与采购，是确保您获得正品支持与专业服务的最佳途径。让这颗经典的功率器件，继续为您的创新注入强劲而稳定的动力。

• 型号:STW35N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW35N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关？STW35N60M2-EP正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和26A的连续电流能力，基于意法半导体成熟的MDmesh M2-EP技术，它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效和功率密度。

采用坚固的TO-247通孔封装，它确保了出色的散热性能和机械可靠性，非常适合工业电机控制、服务器电源、UPS等要求严苛的应用。选择它，就是为您的系统核心注入一份稳定与高效，助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。