STW37N60DM2AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能够将开关损耗显著降低，同时保持卓越的可靠性，您的电源设计将迎来怎样的飞跃？今天，我们为您带来答案STW37N60DM2AG，这颗来自ST意法半导体MDmesh DM2家族的明星产品，正是为突破而生。

它不仅仅是一个参数表上的数字，更是性能与稳健的完美化身。高达600V的漏源电压和28A的连续漏极电流，赋予了它应对严苛工业环境的强大底气。而其核心魅力在于极低的导通电阻仅110毫欧，这意味着在相同的电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热损耗。更低的栅极电荷（54nC）则直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统运行起来如行云流水般顺畅高效。无论是服务器电源、太阳能逆变器，还是工业电机驱动和电动汽车充电桩，STW37N60DM2AG都能轻松融入，成为提升整机效率、缩小体积、增强可靠性的关键引擎。

选择它，就是选择了一份从容与自信。其符合汽车级AEC-Q101标准，意味着它经历了远超工业级的严苛质量验证，从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了在极端温度下的稳定表现。TO-247的经典封装提供了出色的散热能力，配合210W的强大功率耗散，让您在设计散热系统时游刃有余。当您需要这样一款集高性能、高可靠性于一体的功率解决方案时，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能获得正品保障和完整的技术支持，还能确保供应链的稳定与高效，让您的创新之旅再无后顾之忧。让STW37N60DM2AG成为您下一个成功设计的强大心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:STW37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为功率开关器件的损耗和发热问题头疼吗？STW37N60DM2AG正是为您的高效设计而来。这颗N沟道功率MOSFET，凭借其600V/28A的强劲规格和低至110毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的MDmesh DM2技术，拥有极低的栅极电荷，这意味着您可以实现更快的开关频率，从而减小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。其符合汽车级AEC-Q101标准，确保了卓越的可靠性和耐久性，让您即使在严苛的工业或汽车应用环境中也能高枕无忧。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“心脏”。