STW40N90K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭900V高压与40A大电流的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STW40N90K5正是为您而来的解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的集大成者，以其卓越的99毫欧超低导通电阻，在高压大电流的严苛工况下，显著降低了传导损耗，让每一分电能都得到更高效的利用。

无论是工业电机驱动、不断电系统(UPS)，还是太阳能逆变器和高效开关电源(SMPS)，STW40N90K5都能游刃有余。其高达446W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。这意味着您的设备可以持续输出强劲动力，无需担心过热降额或意外宕机，极大地提升了终端产品的市场竞争力与用户信赖度。选择它，就是为您的核心动力单元注入了坚如磐石的保障。

为何众多领先制造商都将STW40N90K5作为首选？答案在于它无与伦比的综合价值。MDmesh K5技术优化了开关特性，在保持快速开关速度的同时，有效平衡了栅极电荷与导通电阻的矛盾，让系统整体效率再上新台阶。TO-247经典封装提供了优异的散热路径，简化了您的热管理设计。当您寻求可靠的技术伙伴与稳定的供货渠道时，专业的ST代理将成为您坚实的后盾，确保您能轻松获取这颗性能标杆产品，并得到及时的技术支持。拥抱STW40N90K5，不仅仅是选择了一颗组件，更是选择了一条通往更高能效、更可靠设计和更强市场竞争力的捷径。立即行动，让它成为您下一代明星产品的强大心脏。

• 型号:STW40N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW40N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STW40N90K5正是为此而生。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和40A的连续电流能力，其核心优势在于仅99毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS等应用中，它能大幅降低导通损耗，直接提升系统整体效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

不仅如此，它卓越的开关特性与高达446W的功率耗散能力，让您能轻松应对严苛的功率切换任务，同时确保系统的稳定与可靠。选择STW40N90K5，就是为您的设计注入强劲且高效的动力核心，助您轻松构建更具市场竞争力的高性能电源解决方案。