STW48N60DM2

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的损耗与散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个革命性的解决方案STW48N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh DM2技术的卓越基因，正在重新定义600V/40A应用领域的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统效率、增强产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或UPS不间断电源等关键应用中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STW48N60DM2的核心价值就在于其极低的导通电阻（Rds(on)典型值仅79mΩ@10V）与优化的动态特性。这意味着在相同的电流下，它能产生更少的热量，让您的系统运行得更凉爽、更稳定。其高达300W的功率耗散能力与TO-247封装带来的优异散热特性，让它在高功率密度设计中游刃有余，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境挑战，确保您的设备在极限条件下依然坚若磐石。

选择STW48N60DM2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它源自ST意法半导体的尖端MDmesh DM2平台，该平台专为降低开关损耗和传导损耗而优化，特别适合高频硬开关和软开关拓扑。无论是提升现有方案的效率，还是开发面向未来的新一代绿色能源产品，这颗芯片都能为您提供坚实的硬件基础。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术选型指导，帮助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致。让STW48N60DM2成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STW48N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW48N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流与高效率的功率开关吗？STW48N60DM2正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源击穿电压和40A的连续漏极电流能力，其核心的MDmesh DM2技术能显著降低导通电阻和栅极电荷，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、太阳能逆变器、工业驱动等应用中的功率转换挑战。优异的开关特性与TO-247封装带来的强大散热能力，确保了系统在高温高负载下的长期稳定运行。选择STW48N60DM2，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的心脏，大幅提升整体能效与市场竞争力。