STW56N65M2-4

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在高压、大电流应用中稳定输出，同时将损耗降至最低的功率开关解决方案？答案就在STW56N65M2-4。这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达49A的连续漏极电流，为您的高要求设计注入澎湃而精准的动力。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STW56N65M2-4正以其低至62毫欧的导通电阻（Rds(on)）大显身手。这意味着在相同的电流下，它能将导通损耗显著降低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。其优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让您的系统在高频运行时依然保持冷静与高效。无论是面对严苛的工业环境还是需要7x24小时不间断运行的通信基础设施，其TO-247-4L封装和高达358W的功率耗散能力，都提供了坚实的物理保障和卓越的热管理性能。

选择STW56N65M2-4，就是选择了一份由尖端技术与市场验证共同背书的信心。MDmesh M2技术平台已经证明了其在平衡导通电阻、开关性能和可靠性方面的领先地位。这颗“有源”状态的芯片，代表着稳定供货与长期技术支持，让您的产品生命周期规划无后顾之忧。当您需要专业的选型支持、快速的技术响应和可靠的供应链保障时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从样品申请到批量交付的全方位服务。让STW56N65M2-4成为您下一代高性能电源和驱动系统的智慧之选，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW56N65M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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还在为高压大功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STW56N65M2-4正是为您破局而生的利器。这颗650V/49A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh M2技术的超低导通电阻（仅62毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

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