STW56N65M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW56N65M2技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望找到一颗既能承载高功率，又能保持冷静运行的“心脏”？今天，我们为您带来的STW56N65M2，正是意法半导体MDmesh M2系列中一颗闪耀的明星，它将以650V的耐压和49A的连续电流能力，重新定义您对功率MOSFET的期待。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，能量转换的每一个瞬间都至关重要。STW56N65M2凭借其仅为62毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，将更多电能高效地输送给负载，而不是转化为令人头疼的热量。其高达358W的功率耗散能力，配合TO-247封装带来的优异散热特性，确保即使在严苛的150°C结温下也能稳定工作，让您的设备在持续高负荷运行中依然从容不迫。

选择STW56N65M2，不仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一份可靠性与效率的保障。它优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有助于提升整体系统的开关频率和响应速度。无论您是致力于打造更节能的UPS系统，还是开发功率密度更高的太阳能逆变器，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的秘密武器。如需获取官方正品与技术支援，我们的合作伙伴ST代理将为您提供全程服务。让STW56N65M2的强大性能，为您的下一个创新项目注入澎湃而稳定的动力！

型号:STW56N65M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:358W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任，同时保持极低损耗的MOSFET吗？STW56N65M2正是为您而来。它拥有650V的坚固耐压和49A的强大电流通过能力，核心优势在于其MDmesh M2技术带来的仅62毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率显著提升，发热量却大幅减少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对服务器电源、工业驱动、光伏逆变器等高压高功率场景的严苛要求。其优化的动态参数（如低栅极电荷）有助于简化驱动设计，提升开关速度，而TO-247封装确保了卓越的散热性能。选择STW56N65M2，就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心，助您轻松构建更具市场竞争力的高性能系统。