STW57N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”？今天，我们为您带来的STW57N65M5，正是意法半导体MDmesh V系列中的明星功率MOSFET，它将以650V的耐压和42A的连续电流能力，重新定义您对高效功率转换的想象。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的战略选择。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高端焊接设备中，功率器件的每一次开关都伴随着能量损耗与热量产生。STW57N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（RdsOn）显著降低至仅63毫欧，这意味着在相同的电流下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被有效传递，而非转化为无用的热量。其高达250W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了即使在严苛环境下也能稳定运行，让您的设备寿命更长，维护更少。

选择STW57N65M5，就是选择了一份从容与安心。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），让驱动电路设计变得异常简单，开关速度更快，系统整体频率可以做得更高，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，进一步优化系统体积与成本。其坚固的TO-247封装提供了卓越的散热性能和机械可靠性。无论您是设计新一代高效充电桩，还是升级数据中心的不间断电源，这颗芯片都能成为您最可靠的伙伴。如需获取正品保障与专业技术支持，我们推荐您联系权威的ST一级代理，确保您的项目从起点就赢在品质。

• 型号:STW57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW57N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高功率、高效率重任的MOSFET吗？STW57N65M5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有650V的强悍耐压和42A的连续电流输出能力，其核心价值在于，它能显著降低您在电源转换或电机驱动中的能量损耗。

得益于MDmesh V技术和低至63毫欧的导通电阻，它能让您的系统运行得更“冷静”，效率更高，直接帮助您降低散热成本、提升功率密度。同时，优化的开关特性让驱动设计更轻松，助您快速实现更紧凑、更可靠的高性能电源解决方案。