STW69N65M5-4

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望找到一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？答案就在STW69N65M5-4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达58A的连续漏极电流，为您打开了高效能电源系统设计的新大门。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩等严苛的应用场景中，系统需要持续稳定地处理高功率。STW69N65M5-4凭借其MDmesh V系列先进的超结技术，实现了极低的导通电阻（典型值低至45毫欧），这意味着在相同电流下，它的导通损耗显著降低，电能转换效率得以大幅提升。更低的损耗直接转化为更少的热量，让您的系统运行更凉爽、更安静，寿命也更长久。无论是应对频繁的开关动作，还是承受持续的高温工作环境，它都能游刃有余，确保核心动力部分坚如磐石。

选择STW69N65M5-4，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其TO-247-4L封装不仅提供了优异的散热路径，四引脚设计还有效降低了栅极回路电感，使得开关速度更快、损耗更小，电磁干扰（EMI）也更易于控制。高达330W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的鲁棒性。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW69N65M5-4成为您下一个明星产品的“心脏”，它将用卓越的性能和稳定性，帮助您赢得市场，创造更大价值。

• 型号:STW69N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:143 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4L
• 封装/外壳:TO-247-4
• 现在可以订购STW69N65M5-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？让STW69N65M5-4为您提供强劲而高效的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/58A MOSFET，拥有极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效密度和更低的温升。

它专为应对高要求应用而打造，无论是工业电源、光伏逆变器还是电动汽车充电设备，其优异的动态性能和高达150°C的工作结温，都能确保系统在严苛环境下稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。