STW6N120K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否仍在为高压大功率应用中的开关损耗和散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW6N120K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其1200V的卓越耐压和6A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中应对严苛环境的信心之选。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能和稳定性，使其在库存充足的情况下，依然是特定高要求项目不可多得的经典之选，其价值在经久考验中愈发闪耀。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或者太阳能逆变器的核心功率电路中，稳定的高压切换是系统生命的保障。STW6N120K3正是为此而生。它采用坚固的TO-247封装，能够有效分散高达150W的功率耗散，确保在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定工作。其2.4欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）意味着更低的传导损耗，而34nC的栅极电荷则有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，整体提升系统能效。这意味着您的设备不仅能应对电网波动，更能长时间稳定运行，减少维护烦恼，直接为终端用户创造省电、耐用的核心价值。

选择一颗芯片，就是选择一份承诺与保障。为何在众多选项中，资深工程师们依然会青睐STW6N120K3？答案在于其背后强大的SuperMESH3技术平台所带来的性能平衡。它不仅在高压下拥有优异的抗冲击能力，其优化的动态参数确保了开关过程的平滑与可控，这对于减少电磁干扰（EMI）、提升系统整体可靠性至关重要。对于正在维护或升级现有经典设计的您而言，这颗芯片提供了完美的直接替换或性能对标方案。为确保您能获得原装正品与可靠供应，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这不仅是产品品质的背书，更是项目如期推进、无后顾之忧的关键。让这颗历经考验的功率器件，成为您下一个成功项目的坚实基石。

• 型号:STW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW6N120K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压重任、运行稳定高效的功率开关吗？STW6N120K3就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有1200V的惊人耐压和6A的连续电流处理能力，专为应对工业电源、电机驱动等高压环境的严酷挑战而设计。

它采用先进的SuperMESH3技术，在10V驱动下导通电阻低至2.4欧姆，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让您能轻松实现快速、干净的开关切换，有效简化驱动电路设计并提升整体可靠性。

凭借TO-247封装带来的强大散热能力和高达150W的功率耗散上限，它能让您的设备在-55°C到150°C的极端温度范围内稳如磐石。选择STW6N120K3，就是为您的核心功率级注入一份经久考验的稳健与高效。