STW70N10F4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾因开关损耗过高而困扰？当系统需要处理高达65A的连续电流时，传统的MOSFET往往成为性能瓶颈。现在，这一切将被重新定义。我们隆重推出意法半导体的高性能功率器件STW70N10F4，它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统效率、降低热管理的终极解决方案。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关都伴随着能量的损失。而STW70N10F4凭借其先进的STripFET技术和DeepGATE结构，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动电压下压降至仅19.5毫欧（@30A）。这意味着在相同的电流下，产生的热量显著减少，系统可以更冷静、更稳定地运行。其100V的漏源电压和高达150W的功率处理能力，让它在严苛的工业环境中游刃有余，从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保了无论在冰天雪地还是高温炉旁，性能始终如一。

这款采用经典TO-247-3封装的器件，是升级现有高功率设计的理想选择。它极低的栅极电荷（Qg仅85nC）和输入电容，意味着驱动它所需的能量更少，开关速度可以更快，从而轻松实现更高的开关频率，让您的电源设计更加紧凑高效。无论是用于提升电动工具的动力响应，还是优化新能源储能系统的充放电效率，STW70N10F4都能让您的产品在竞争中脱颖而出。选择它，就是选择了经久耐用的品质和值得信赖的性能。如果您正在寻找可靠的技术伙伴，我们的ST中国代理团队随时为您提供全面的技术支持和选型服务，助力您的创意迅速转化为市场领先的产品。

• 型号:STW70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW70N10F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？STW70N10F4 N沟道MOSFET就是为您而来的强大引擎。它能轻松驾驭高达65A的连续电流和100V的电压，其核心价值在于极低的导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动响应更迅猛，让电源转换效率再上一个台阶。凭借优化的栅极电荷特性，它能实现快速干净的开关，帮助您设计出更紧凑、性能更强的电源模块或电机控制器。选择STW70N10F4，就是为您的产品注入了意法半导体先进的STripFET技术基因，确保在严苛环境下依然稳定可靠。