STW70N60M2

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾期待一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“全能型选手”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STW70N60M2，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为突破传统能效瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电源系统的核心动力引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，对功率器件的严苛要求无处不在：需要承受高达600V的电压冲击，持续稳定地输送强大电流，同时还要将自身的能量损耗降到最低，以免宝贵的电能转化为无谓的热量。这正是STW70N60M2大显身手的舞台。其卓越的MDmesh II Plus技术，赋予了它极低的导通电阻（Rds(on)），在34A电流、10V驱动下仅40毫欧，这意味着在导通状态下，它的功耗极低，能显著提升整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。更低的损耗也直接转化为更低的温升和更高的可靠性，让系统运行更冷静、更持久。

选择STW70N60M2，就是选择了一份面向未来的投资。它高达68A的连续漏极电流和450W的功率耗散能力，为您预留了充足的功率裕度，轻松应对峰值负载，确保系统坚若磐石。优化的栅极电荷（Qg）特性使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，帮助您缩小磁性元件尺寸，实现电源产品的小型化与轻量化。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，从炎热的车间到严寒的户外，都值得信赖。为了让您更便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过专业的ST中国代理进行采购，确保正品货源与完善的技术支持，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:STW70N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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还在为寻找一颗能兼顾高电压、大电流与超低损耗的功率开关而烦恼吗？STW70N60M2就是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和高达68A的连续电流能力，其核心价值在于采用先进的MDmesh II Plus技术，实现了惊人的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等高要求应用。优化的动态特性有助于减少开关损耗，提升系统频率，从而让您的设计更紧凑。高达450W的功率处理能力和宽温度范围，确保了卓越的可靠性与耐用性，是您构建高性能、高可靠性功率电路的坚实基石。