STY140NS10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STY140NS10技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够承载140A强大电流，同时将导通电阻降至仅11毫欧的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STY140NS10。它不仅仅是一个MOSFET，更是MESH OVERLAY技术集大成者，是您构建高效、可靠功率系统的坚实基石。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业电机驱动中需要承受频繁启停的逆变桥臂，甚至是新能源车载充电机(OBC)中对效率和功率密度有着双重追求的拓扑结构，STY140NS10都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达450W的功率耗散能力，为系统提供了宽裕的安全边际和强大的处理能力。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，工作结温高达175°C，确保您的设备在苛刻条件下也能持续稳定运行。

选择STY140NS10，就是选择了一种无需在性能与可靠性之间做权衡的设计哲学。极低的导通电阻意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动设计更为轻松，有助于提升开关频率，从而减小无源器件的体积和成本。其经典的MAX247通孔封装，兼顾了优异的散热性能和坚固的机械结构，非常适合大功率、高可靠性的应用场合。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的稳定与延续。让STY140NS10成为您下一个明星产品的强大心脏，释放前所未有的功率潜能。

型号:STY140NS10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:MAX247
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:600 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:450W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:MAX247
封装/外壳:TO-247-3
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STY140NS10正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达140A的连续电流处理能力，专为 demanding 的高功率应用设计。它的核心使命，就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

凭借其标志性的MESH OVERLAY技术，它在10V驱动下导通电阻低至惊人的11毫欧，能显著降低导通损耗，直接提升整体能效。同时，优化的动态参数让开关过程更干净利落，帮助您轻松应对高频开关挑战。无论是提升现有方案的性能极限，还是开发下一代高密度电源，STY140NS10都能让您的设计脱颖而出，赢得市场竞争优势。