IRFP450 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

IRFP450技术参数详情：

当您的电源系统需要承受严苛的电压冲击，同时又要保证高效的能量转换时，您会选择什么样的功率开关器件？答案可能就藏在IRFP450这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建稳定、高效、可靠功率系统的坚实基石。凭借其高达500V的漏源电压和14A的连续电流能力，它为您提供了宽广的设计裕度和应对复杂工况的信心。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源、不间断电源(UPS)乃至高性能音频放大器的核心位置，正是IRFP450这样的器件在默默承担着能量控制与转换的重任。它卓越的电气特性，例如低至380毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这意味着您的终端产品能够以更低的温升、更高的效率持续运行，在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是应对工业现场的电压波动，还是满足消费级产品对能效的严苛要求，它都能游刃有余。

选择IRFP450，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性。其TO-247-3的经典封装，提供了出色的散热能力和机械强度，让您的PCB布局和散热设计更加从容。虽然它已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在特定升级、维护或对经典设计有要求的项目中，依然具有不可替代的价值。当您需要为您的项目寻找这样一颗性能与可靠性兼备的功率核心时，可以信赖专业的ST代理商，他们不仅能提供可靠的原装物料支持，更能为您带来专业的技术选型建议。让IRFP450的强大性能，成为您产品动力澎湃、稳定耐用的秘密武器。

型号:IRFP450
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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还在为高电压、大电流的功率控制难题而烦恼吗？IRFP450正是为您解决这类挑战而生的强力工具。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有高达500V的耐压和14A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率放大器时，能够轻松应对高压环境，确保系统的心脏功率开关部分坚如磐石。

它采用了先进的PowerMESH II技术，将低导通电阻（典型值380毫欧）与快速的开关特性完美结合。这意味着它能显著降低您在导通状态下的能量损耗，提升整体能效，同时快速的开关响应让您的系统控制更为精准高效。高达190W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，赋予了它出色的可靠性和环境适应性，让您的产品在各种严苛条件下都能稳定运行，持久耐用。