STB12NK80ZT4

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受800V高压并稳定输送超过10A电流时，选择一款兼具低损耗与坚固耐用的MOSFET，往往是决定产品成败的关键。现在，答案已经揭晓STB12NK80ZT4正是为突破这些挑战而生的卓越解决方案。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，集成了先进的SuperMESH技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下控制在极低的750毫欧，这意味着在相同的电流下，它能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。高达190W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对严苛工况的非凡底气。无论是工业电机驱动的频繁启停，还是开关电源（SMPS）中持续的高频切换，它都能游刃有余，确保系统长期稳定运行。

想象一下，在您的服务器电源、工业照明驱动或新能源充电模块中，STB12NK80ZT4正默默发挥着核心作用。其800V的漏源击穿电压提供了充足的安全裕量，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的设计更加稳健。表面贴装的D2PAK封装不仅优化了散热性能，也适应了现代自动化生产的需求。选择它，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一份由顶尖半导体技术背书的性能承诺与长期可靠性。我们信赖的合作伙伴、专业的ST代理，将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。

因此，当您下一次为高压、高效、高可靠性的功率转换方案进行选型时，无需再犹豫。STB12NK80ZT4以其卓越的电气特性、强大的功率处理能力和意法半导体一贯的品质保证，为您提供了清晰而自信的选择理由。让它成为您产品中的能量心脏，共同开启高效、可靠且充满竞争力的新篇章。

• 型号:STB12NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压平台，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STB12NK80ZT4正是您的理想之选。它基于ST先进的SuperMESH技术打造，在10.5A的连续电流下，导通电阻低至惊人的750毫欧，能大幅降低导通损耗，提升整体能效，让您的电源或电机驱动方案运行得更冷静、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的工业环境与持续的功率切换挑战。高达190W的散热能力和宽广的工作温度范围，确保了其在服务器电源、工业照明、充电器等应用中的极端可靠性。其优化的栅极电荷和电容特性，还有助于简化驱动电路设计，实现更高频率的开关，从而让您的终端产品在性能和体积上都具有竞争优势。