STB19NM65N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STB19NM65N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而生的卓越之选。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高达650V的电压和15.5A的连续电流。传统的MOSFET往往在效率和温升之间难以两全，而STB19NM65N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动下优化至仅270毫欧，这意味着更低的传导损耗和更出色的能效表现。更低的损耗直接转化为更少的热量，让您的系统即使在150°C的结温下也能稳定运行，大大提升了长期工作的可靠性，并简化了散热设计，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STB19NM65N，就是选择了一份经得起考验的卓越性能与安心保障。其D2PAK封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达150W），其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，助力您提升制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但通过与可靠的ST一级代理合作，您依然可以获取稳定可靠的货源，为现有产品的持续生产与维护提供坚实后盾。这颗芯片承载的不仅是ST领先的半导体技术，更是对高效、耐用、稳定电源解决方案的承诺。让它成为您下一个成功设计的核心，共同开启能效新纪元。

• 型号:STB19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB19NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能扛起高功率重任又保持冷静高效的MOSFET而烦恼吗？STB19NM65N正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体成熟的MDmesh II技术，为您提供650V的坚固耐压和15.5A的强大电流处理能力，让您的电源或电机驱动设计轻松应对高压挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效。仅270毫欧的低导通电阻（10V驱动下）意味着更少的能量损耗转化为热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和输入电容确保了快速干净的开关性能，助力您实现更高频率的设计，从而缩小整体方案尺寸。选择它，就是选择让您的产品在可靠性、效率和功率密度上获得显著提升。