STB40NF10LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB40NF10LT4技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载40A电流的功率开关，同时将导通电阻控制在惊人的33毫欧以下这不仅仅是参数，这是STB40NF10LT4为您带来的现实性能飞跃。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET以其卓越的电气特性，正在重新定义中高功率应用的效率标准。

无论是服务器电源中需要高效DC-DC转换的苛刻环境，还是工业电机驱动里对可靠性与响应速度的双重要求，甚至是不断进化的汽车辅助系统与新能源设备，STB40NF10LT4都能游刃有余。其仅需5V的低驱动电压即可实现优异导通性能，配合低至64nC的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率显著提升。在-65°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，并采用坚固的D2PAK封装，确保了它在各种振动与热应力下的长久可靠性。

选择STB40NF10LT4，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统复杂性的关键伙伴。其优化的性能参数直接转化为更小的散热器需求、更简洁的驱动电路以及最终更低的系统总成本。当您需要可靠的原厂品质与技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，将是保障供应链稳定与产品合规性的明智之举。让STB40NF10LT4成为您下一个成功设计的强大心脏，开启能效新纪元。

型号:STB40NF10LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
现在可以订购STB40NF10LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住开关损耗的功率开关吗？STB40NF10LT4正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的100V/40A N沟道MOSFET，凭借其STripFET II技术，能轻松实现低至33毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它拥有极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您能用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，有效提升系统整体频率和响应速度。同时，其宽广的工作温度范围和坚固的D2PAK封装，确保了它在严苛的工业或汽车环境下的卓越可靠性与耐久性，是您构建高性能、高可靠性功率系统的理想选择。