STB70N10F4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB70N10F4技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载65A电流的功率开关，同时将导通电阻降至惊人的19.5毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越之作STB70N10F4，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，专为高要求的中高功率应用场景量身打造。无论是服务器电源中需要高效稳定的DC-DC转换，还是工业电机驱动中要求快速响应和可靠性的开关控制，甚至是不断进化的新能源车车载充电机(OBC)和不断电系统(UPS)，STB70N10F4都能游刃有余。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，确保在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作，更能帮助您的设计轻松应对150W的功率耗散挑战，让系统运行更凉爽、更持久。

选择STB70N10F4，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其极低的栅极电荷（典型值85nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力提升整体系统频率和功率密度。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或寻找高性能直接替代方案的理想选择。对于需要可靠货源和技术支持的工程师，通过专业的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品保障和后续服务的最佳途径。让STB70N10F4成为您下一个成功设计的强大心脏，释放每一瓦特的潜能。

型号:STB70N10F4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任的“核心引擎”吗？STB70N10F4正是这样一款性能强悍的N沟道MOSFET。它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，拥有100V的漏源电压和高达65A的连续漏极电流承载能力，让您在设计大电流路径时信心十足。

这颗芯片最引人注目的优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为19.5毫欧。这意味着在导通状态下，它的能量损耗微乎其微，能显著提升系统的整体效率，并有效降低发热。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您的电源转换或电机控制响应更迅捷，运行更平稳。无论是提升能效还是增强可靠性，STB70N10F4都是您实现高效功率管理的得力助手。