STD7NM80-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD7NM80-1技术参数详情：

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STD7NM80-1，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能器件。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、增强可靠性的得力助手。凭借其800V的卓越耐压能力和6.5A的连续漏极电流，它能在各种复杂工况下稳定运行，将高压带来的风险转化为设计的从容与自信。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源转换等关键应用中，效率和可靠性是生命线。STD7NM80-1正是为此而生。其MDmesh技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅1.05欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是处理PFC（功率因数校正）电路中的高频开关，还是在离线式转换器中担任主开关，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久。其高达90W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保即使在恶劣环境下也能坚如磐石。

选择STD7NM80-1，就是选择了一份来自世界级半导体制造商的技术背书与品质承诺。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性，使其成为许多经典或特定延续性项目的理想选择。通过我们专业的ST代理渠道，您依然可以获取这颗性能卓越的芯片，并获得全面的技术支持与供应链保障。它采用坚固的I-PAK通孔封装，便于焊接和散热管理，让您的集成工作轻松高效。让STD7NM80-1成为您下一个成功设计的核心动力，释放高压应用的无限潜能！

型号:STD7NM80-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:90W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压开关应用的效率和散热问题烦恼吗？让STD7NM80-1来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的秘密武器。它拥有800V的高耐压和6.5A的强电流处理能力，配合其MDmesh技术带来的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对PFC、照明镇流器、工业电源等场景。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，提升整体响应速度。其坚固的I-PAK封装和宽广的工作温度范围，为您提供了出色的可靠性与设计灵活性。选择STD7NM80-1，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案，助您轻松构建更稳定、更高效的电力电子系统。