STF16N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，一个卓越的解决方案已经到来STF16N60M2，这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，正以其600V的耐压能力和12A的连续电流，重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF16N60M2能够轻松应对严苛的工作环境。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下仅320毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的发热，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关特性，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计在效率和电磁兼容性上双双胜出。

选择STF16N60M2，就是选择了一份从容与安心。它采用坚固的TO-220FP封装，提供了出色的散热能力和通孔安装的便利性。高达150°C的结温（TJ）和25W的功率耗散能力，赋予了它卓越的热可靠性，确保系统在高温环境下依然稳定运行。无论您是设计工业电源、家用电器还是照明镇流器，这颗芯片都能让您的产品在性能、成本和可靠性之间找到最佳平衡点。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的成功之路保驾护航。

• 型号:STF16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF16N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为您的电源或电机驱动方案寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？STF16N60M2正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的强劲耐压和12A的持续电流处理能力，能轻松驾驭开关电源、PFC及电机控制等应用，让您的系统运行更稳定、更高效。

它采用了意法半导体先进的MDmesh M2技术，实现了极低的320毫欧导通电阻，显著降低了导通损耗和发热。同时，优化的开关特性帮助您减少能量损失，提升整体能效。坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热，配合高达150°C的工作结温，让您的设计无惧高温挑战，可靠性倍增。