STF26N65DM2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF26N65DM2技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们为您带来一个决定性的答案。意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STF26N65DM2，正是为突破这些瓶颈而生。这颗650V耐压、20A电流能力的N沟道功率MOSFET，凭借其革命性的超结技术，将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积优化到了新高度，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为系统的整体效率提升和温升的显著降低，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求小型化的PC电源、LED照明驱动和UPS不间断电源，STF26N65DM2都能游刃有余。它那高达650V的漏源击穿电压，提供了充裕的电压裕量，确保在电网波动或复杂工况下的绝对可靠性；而TO-220FP封装则在经典的TO-220基础上提供了全塑封的绝缘特性，简化了您的散热器安装与电气绝缘设计，让系统集成更加安全便捷。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率转换核心时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择STF26N65DM2，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的成熟技术平台和强大的供应链支持。意法半导体MDmesh DM2系列久经考验，其卓越的开关性能和坚固性赢得了全球工程师的广泛信赖。对于国内客户而言，通过权威的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能享受到及时的技术支持、灵活的供应保障和有竞争力的价格，彻底消除您的后顾之忧。让STF26N65DM2赋能您的下一个设计，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STF26N65DM2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为功率转换电路的效率和温升烦恼吗？STF26N65DM2正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和20A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的190毫欧导通电阻与优化的栅极电荷特性。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，并让散热设计变得更加轻松。

它专为要求苛刻的高效开关应用而生，如开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)和电机控制。优异的性能让您能够设计出更紧凑、更可靠的产品。同时，其TO-220FP绝缘封装简化了安装流程，增强了安全性。选择STF26N65DM2，就是选择了一个让您高效实现高性能设计目标的可靠伙伴。