STF4N80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF4N80K5技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STF4N80K5。这款源自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和仅为2.5欧姆的超低导通电阻，为您的高压电路注入澎湃动力与非凡效率。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体性能、降低运营成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STF4N80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其卓越的快速开关特性，得益于仅10.5nC的低栅极电荷，能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更安静。无论是工业自动化设备中需要稳定可靠的能量转换，还是消费类电子产品中追求紧凑与高效，这颗芯片都能游刃有余地胜任，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得用户的信赖与口碑。

选择STF4N80K5，就是选择了一份经得起考验的品质承诺。它采用坚固的TO-220FP封装，提供出色的散热能力，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着您的设计将拥有更强的环境适应性和更长的使用寿命。同时，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受到专业的技术支持与快捷的供应链服务，让您的产品开发之旅全程无忧。现在就拥抱STF4N80K5，让它成为您下一个成功项目的核心引擎！

型号:STF4N80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:20W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压应用中的功率损耗和效率瓶颈寻找突破口吗？让STF4N80K5为您开启高效能新篇章！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和仅2.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体效率。

它专为要求严苛的应用而生，无论是开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)，还是电机控制和照明镇流器，STF4N80K5都能让您轻松驾驭。其低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，而坚固的TO-220FP封装则提供了卓越的散热性能。选择它，就是为您的设计注入了意法半导体的可靠基因与高性能保障。