STF6N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、同时保持出色开关性能的功率MOSFET，将如何为您的产品注入新的活力。这正是STF6N60M2带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

无论是家用电器中的辅助电源、工业电机驱动，还是LED照明和充电器应用，稳定可靠的功率开关都是系统的心脏。STF6N60M2凭借其600V的耐压能力和4.5A的连续电流，为这些中低功率场景提供了坚实的保障。其采用的先进MDmesh II Plus技术，意味着在相同的封装尺寸下，您能获得更低的导通损耗，这直接转化为更低的温升和更高的系统效率。当您的设备在长时间运行时依然保持“冷静”，用户的信赖感和产品的口碑便随之建立。

选择STF6N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）和仅8nC的低栅极电荷（Qg），在效率和开关速度之间取得了完美平衡，让您的设计既能节能，又能快速响应。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，简化了您的生产流程。更重要的是，作为ST意法半导体的明星产品之一，其品质与供货稳定性有口皆碑。若您需要本地化的技术支持与供应链服务，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾，确保您的项目从研发到量产一路畅通。现在就拥抱STF6N60M2，让它成为您下一个成功产品的强大引擎。

• 型号:STF6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF6N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的600V功率开关吗？STF6N60M2正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术，为您带来低至1.2欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松处理高达4.5A的连续电流，并拥有600V的漏源击穿电压，为您的中小功率设计提供充裕的安全余量和稳定的性能输出。其TO-220FP封装不仅坚固可靠，更提供了优异的散热能力，让您在设计散热系统时更加游刃有余。选择STF6N60M2，就是选择了一个经过优化、值得信赖的功率核心，助您快速将高效、紧凑且可靠的产品推向市场。