STF7N65M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF7N65M2技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将650V高压与卓越开关性能完美结合的功率器件，将如何彻底改变您的产品设计格局。现在，答案就在STF7N65M2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其MDmesh技术的深厚底蕴，为您带来前所未有的效率飞跃。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、并最终赢得市场的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的LED照明和充电桩系统，STF7N65M2都能游刃有余地应对严苛挑战。其5A的连续漏极电流和高达650V的漏源电压，为您的设计提供了坚固的安全边际和广阔的功率处理空间。在频繁开关的应用中，极低的栅极电荷（仅9nC）和优化的导通电阻，意味着更快的开关速度、更少的发热以及显著降低的驱动损耗。这直接转化为更凉爽的运行温度、更小的散热器需求，以及最终更紧凑、更轻量化的终端产品，让您的设计在竞争中脱颖而出。

选择STF7N65M2，就是选择了一份由顶尖技术和全球声誉背书的信心。ST意法半导体的MDmesh系列久经市场考验，其卓越的品质和一致性是量产成功的坚实保障。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种极端环境下都能稳定工作，极大提升了产品的环境适应性和使用寿命。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的官方ST代理网络将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF7N65M2成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启高效、可靠、更具竞争力的电源设计新篇章。

型号:STF7N65M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:20W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关？STF7N65M2正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术，集650V高耐压、5A电流能力与超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能让您轻松应对严苛的工业环境。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关速度，帮助您提升系统频率，从而缩小磁性元件体积，实现整体方案的微型化。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，赋予了它卓越的可靠性和散热能力，让您的产品设计无后顾之忧，性能始终稳定如一。