STF9NK80Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF9NK80Z技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关时，您是否曾为选型而犹豫？STF9NK80Z正是为回应这一挑战而生。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您构建高效、耐用电源系统的坚实基石。源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片天生就拥有应对严苛工况的卓越基因，其800V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流能力，意味着它能轻松驾驭从工业电源到家电变频的各种高压侧应用，为您提供宽广的设计裕度和长久的使用寿命。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STF9NK80Z正扮演着能量高效转换的核心角色。它出色的动态特性，例如优化的栅极电荷和导通电阻，直接转化为更低的开关损耗和导通损耗，这不仅提升了整机效率，更能有效降低散热需求，让您的产品在性能和温控上取得完美平衡。无论是面对工业自动化设备的持续运行，还是家用电器对节能静音的严苛要求，它都能游刃有余，确保系统稳定、安静且高效地工作。

选择STF9NK80Z，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。其TO-220FP封装兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为特定升级或备品方案中的可靠之选。通过值得信赖的ST代理渠道，您不仅能获得正品保障，更能获取专业的技术支持，确保这颗高性能MOSFET的价值在您的设计中得到最大程度的发挥，助力您的产品在市场中脱颖而出。

型号:STF9NK80Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STF9NK80Z来为您分忧。这颗基于SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和7.5A的电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动设计。它能帮助您轻松实现高效的能量转换，显著降低系统功耗与温升。

得益于其优化的1.2欧姆导通电阻和低栅极电荷特性，STF9NK80Z让您的设计在开关速度和传导损耗之间取得最佳平衡。这不仅意味着更高的整体效率，也简化了您的热管理设计。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定可靠地运行，是提升产品性能和耐用性的高效之选。