STFI130N10F3

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够显著降低导通电阻、提升整体能效的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族的杰出代表STFI130N10F3。它不仅仅是一个组件，更是您实现高性能、高可靠性设计的强大引擎。

这款N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达46A的连续漏极电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，最大值仅为9.6毫欧。这意味着在开关电源、电机驱动或DC-DC转换器等关键应用中，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量。更低的损耗直接带来了更高的系统效率、更小的散热器需求以及更紧凑的产品设计，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。无论是工业变频器、不间断电源（UPS），还是电动工具和汽车辅助系统，STFI130N10F3都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择STFI130N10F3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过市场验证的卓越性能。其采用的先进STripFET III技术，在硅片层面进行了深度优化，实现了更优的栅极电荷（Qg）与导通电阻（Rds(on)）的平衡，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗。对于工程师而言，这意味着设计更简单，系统响应更迅捷，整体成本效益更高。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的稳定与延续。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STFI130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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还在寻找能大幅提升电源效率的“心脏”部件吗？STFI130N10F3正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和46A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的9.6毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗。

这意味着，在您的DC-DC转换器、电机控制器或电源模块中，它能帮助您轻松实现更高的能效转换，让系统运行更凉爽、更可靠。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，让您的设计响应更迅捷，整体性能更加高效稳定。