STFU15N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计竞赛中，您是否正在为如何平衡性能、成本与散热而苦恼？今天，我们将为您带来一个卓越的解决方案STFU15N80K5。这款来自意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和仅为375毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能电源设计的新大门。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STFU15N80K5正以其14A的连续电流承载能力和高达35W的功率耗散能力，稳定地工作在核心位置。其先进的MDmesh K5技术，显著优化了开关性能与导通损耗的平衡，让您的系统在频繁开关状态下依然保持冷静与高效。无论是面对严苛的工业环境，还是需要长时间稳定运行的消费类电源，它都能轻松应对，确保能量以最小的损耗进行精准转换。

选择STFU15N80K5，意味着您选择了一份来自技术前沿的保障。其低至32nC的栅极电荷和优化的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计能够轻松迈向更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，实现系统的小型化。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，遍布全球的ST代理网络将是您坚实的后盾。让STFU15N80K5成为您下一个成功产品的基石，共同开启高效、可靠的能源未来。

• 型号:STFU15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STFU15N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？STFU15N80K5就是为您量身打造的利器。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和仅375毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高达14A的连续电流，并承受35W的功率耗散，确保系统在苛刻条件下稳定输出。其优化的栅极电荷和电容特性，进一步简化了您的驱动电路设计，提升开关速度。选择STFU15N80K5，就是选择用一颗芯片的力量，全面提升您的产品能效与可靠性。