STFW3N170

在追求极致能效与可靠性的高功率应用领域，您是否还在为开关损耗、散热设计和系统稳定性而烦恼？现在，这一切都将迎来革命性的改变。我们隆重推出STFW3N170，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其高达1700V的漏源电压和先进的PowerMESH技术，为您的高压设计注入澎湃动力与非凡效率。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建坚固、高效能源系统的基石。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心功率电路中，STFW3N170正以其卓越的性能默默工作。其极低的导通电阻（典型值13欧姆 @ 1.3A, 10V）和优化的栅极电荷（仅44nC），意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率与更低的温升。ISOWATT-218FX封装提供了出色的电气隔离和散热能力，确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行，功率耗散高达63W，让您的设备无惧高温挑战，持续可靠输出。

选择STFW3N170，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与性能保障。它完美平衡了高压耐受性、电流处理能力与开关速度，让您的设计在功率密度和可靠性上双双领先。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，它都能显著简化您的设计流程，减少外围元件需求，加速产品上市。如需获取样品、技术资料或批量采购，我们的官方ST代理商网络将为您提供全面专业的本地化支持。立即采用STFW3N170，开启您的高效、高可靠功率转换新篇章！

• 型号:STFW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 现在可以订购STFW3N170，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找能轻松驾驭1700V高压平台的功率开关解决方案吗？STFW3N170正是为您而来！这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，集高耐压、低损耗与强散热于一身，让您在设计工业电源、新能源逆变器等高压应用时游刃有余。

它拥有2.6A的连续漏极电流和极低的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。优化的栅极驱动特性（驱动电压10V）和快速的开关速度，让您的控制环路设计更简单，响应更迅捷。其坚固的ISOWATT封装确保了卓越的隔离与散热性能，即使在高温环境下也能稳定工作，大幅提升产品的长期可靠性。选择STFW3N170，就是为您的核心功率级选择了一位高效、可靠的强力伙伴。