STP7N52K3

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临高压开关损耗与系统稳定性的双重挑战？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP7N52K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道功率MOSFET，以其525V的高耐压和仅为980毫欧的低导通电阻，为您的高压应用注入强劲而高效的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现系统价值最大化的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STP7N52K3正稳定地工作在高压前沿。其高达6A的连续漏极电流承载能力和90W的强大功率处理能力，确保了系统在严苛工况下的持久耐力。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是高要求的照明镇流器，这颗芯片都能轻松应对高电压带来的应力，显著降低导通损耗，让您的终端产品在能效表现上脱颖而出，直接转化为用户的节能收益与品牌口碑。

选择STP7N52K3，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠保障。尽管其已进入停产状态，但这恰恰证明了其经典的设计与广泛的市场认可度，现有库存和稳定的供应链（例如通过值得信赖的ST芯片代理）依然能支持您的长期项目与备品需求。TO-220AB的经典封装形式，让它在PCB布局和散热设计上拥有极高的灵活性与便利性。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。面对高压高功率的设计挑战，让STP7N52K3成为您电路中那个沉默而强大的基石，助力您的产品在市场中稳健前行，赢得先机。

• 型号:STP7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP7N52K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关损耗和热管理头疼吗？让STP7N52K3来改变这一切！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和仅980毫欧的低导通电阻，能显著减少您在高压开关应用中的功率损耗，直接提升系统整体能效。

它能让您轻松驾驭高达6A的连续电流，并在高达150°C的结温下稳定工作，确保您的电源适配器、工业电机驱动或PFC电路运行更可靠、更持久。其优化的动态参数有助于实现更快的开关速度，让您的设计不仅高效，而且响应敏捷。