STH150N10F7-2

当您的电源系统需要同时驾驭高功率与高效率时，什么样的功率器件才能不负重托？答案就蕴藏在STH150N10F7-2这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、降低能耗、实现设计突破的关键引擎。源自意法半导体先进的STripFET VII技术与DeepGATE工艺，这颗芯片在100V的电压舞台上，能够持续承载高达110A的强劲电流，而其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下可低至惊人的毫欧级别，这意味着更少的能量在开关过程中转化为无谓的热量，让您的系统运行得更冷静、更持久。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次精准的加速与能量回收；在工业伺服系统里，马达需要瞬间爆发出巨大扭矩；或是在数据中心不间断电源（UPS）和高端通信电源中，对效率与可靠性近乎苛刻的要求。STH150N10F7-2正是为这些挑战性场景而生。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，极大降低了开关损耗，让系统即使在极高的开关频率下也能游刃有余。表面贴装的H2PAK-2封装不仅提供了卓越的散热性能，其紧凑的尺寸更为您的PCB布局节省了宝贵空间，助力产品设计向更轻薄、更高集成度迈进。

选择STH150N10F7-2，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）赋予了产品无与伦比的环境适应能力，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。对于寻求可靠供应链与技术支持的设计师而言，通过权威的ST芯片代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得及时的技术与物流支持。将这颗高效能、高可靠性的功率芯片融入您的下一个设计，您收获的将不仅是参数表上的优异数据，更是终端产品在市场上脱颖而出的核心竞争力与用户口碑。

• 型号:STH150N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH150N10F7-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STH150N10F7-2为您带来颠覆性的改变。这颗采用STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和110A的连续电流能力，其超低的3.9毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能源效率。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够采用更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，优化整体系统成本与尺寸。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是电源开关，STH150N10F7-2都能提供稳定、高效的功率处理能力，助您打造出更节能、更紧凑、性能更强劲的下一代产品。