STD16NF06LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD16NF06LT4技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在60V电压下稳定输出24A电流的功率器件，其导通电阻低至惊人的70毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。今天，我们为您带来的STD16NF06LT4，正是这样一款源自ST意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，它用卓越的性能重新定义了功率转换的边界。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源中要求苛刻的DC-DC转换，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断小型化的车载充电器，STD16NF06LT4都能游刃有余。其极低的栅极电荷（仅7.5nC @ 5V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频工作时依然保持冷静与高效。而高达175°C的结温工作能力，配合DPAK封装优秀的散热特性，为您在紧凑空间内的热管理提供了坚实保障，大幅提升了产品的可靠性与寿命。

选择STD16NF06LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。其优化的性能参数直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，帮助您轻松达成能效标准，同时减少散热器尺寸，实现更小巧、更轻量的终端设计。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴，专业的ST代理商能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。现在就拥抱STripFET II技术，让STD16NF06LT4的强大动力，驱动您的下一个创新项目迈向成功。

型号:STD16NF06LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STD16NF06LT4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的60V/24A N沟道MOSFET，凭借其STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值70毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它拥有快速的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保您在苛刻环境下也能稳定运行。无论是用于提升现有产品性能，还是开发新一代高效能设备，STD16NF06LT4都能让您的设计更轻松、更可靠，直接赋能最终产品的竞争力。