STH180N4F6-2

当您的电源系统需要处理高达120A的连续电流，同时还要将功率损耗降至最低时，您会选择什么样的开关器件？答案就蕴藏在STH180N4F6-2这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、实现紧凑设计的强大引擎。凭借其仅为2.4毫欧的超低导通电阻，它能将宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换器或电动工具的动力模块中，空间和散热永远是设计师的挑战。STH180N4F6-2正是为此而生。其H2PAK-2封装专为高功率密度和卓越的热性能优化，能轻松应对严苛的工业环境。无论是驱动强劲的电机，还是在数据中心不间断运行的电源单元里进行高效的能量转换，它都能提供稳定可靠的性能，确保您的系统在-55°C至175°C的宽广温度范围内持续高效运行。选择它，就是为您的核心应用注入了意法半导体STripFET F6系列的尖端基因。

为什么众多领先企业信赖并选择这款器件？因为它完美平衡了性能、可靠性与设计便利性。高达40V的漏源电压和10V的标准驱动电压，使其易于集成和控制。极低的栅极电荷确保了快速的开关速度，这对于提升开关频率、减小无源元件尺寸至关重要。虽然该型号已进入停产状态，但通过与可靠的ST一级代理合作，您依然可以获得稳定的供货渠道和技术支持，保障现有项目的长期维护和新项目的平滑过渡。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次面向高可靠性、高效率未来的战略投资。

• 型号:STH180N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH180N4F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能同时驾驭大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STH180N4F6-2就是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为严苛的功率应用设计，其核心使命就是让您的系统运行得更冷静、更强劲。

它拥有120A的连续电流处理能力和低至2.4毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，将更多电能用于有效工作。搭配H2PAK-2封装出色的散热特性，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或电池管理系统时，可以更加游刃有余，轻松实现系统的小型化与高效化。