STI270N4F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI270N4F3技术参数详情：

想象一下，您的下一代汽车电子或工业电源系统，能否在更小的空间内，承载更高的功率密度，同时保持卓越的可靠性和效率？这正是STI270N4F3为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET III家族中的明星成员，这颗专为严苛环境打造的N沟道MOSFET，以其仅2.6毫欧的超低导通电阻和高达160A的连续漏极电流，重新定义了功率开关的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是新能源汽车的DC-DC转换器、电机驱动，还是工业自动化中的大电流开关电源和电池管理系统，STI270N4F3都能游刃有余。其高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在极端温度与振动环境下依然稳定如山。这意味着您的设计可以更加紧凑，散热要求更低，系统整体可靠性却得到显著增强。选择它，就是为您的核心动力模块注入了持久而强劲的“心脏”。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向STI270N4F3？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，显著提升系统效率并降低温升；优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步减少了开关损耗。这种从“芯”开始的效率优化，为终端产品带来了更长的续航、更冷静的运行和更小的体积。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的ST代理商将成为您值得信赖的伙伴，确保这颗高性能芯片顺利集成到您的创新蓝图之中。

型号:STI270N4F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:330W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题困扰吗？STI270N4F3正是为您破局而生的利器。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有惊人的160A电流承载能力和低至2.6毫欧的导通电阻，能让您轻松驾驭大电流开关，将功率损耗降至最低，从而显著提升整个系统的能源利用效率。

它采用先进的STripFET III技术，不仅开关速度快，栅极驱动简洁高效，更能承受高达330W的功率耗散。宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保它在最严苛的汽车引擎舱或工业环境中也能稳定可靠地运行。选择STI270N4F3，就是为您的电机驱动、电源转换或电池保护电路，注入一颗强劲、高效且值得信赖的“核心动力”。