STI28N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI28N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有600V的坚固耐压屏障，更能将导通电阻控制在极低水平，让能量传输近乎无损这正是STI28N60M2为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh M2家族的杰出代表，它专为应对高要求功率转换挑战而生，其卓越的电气特性直接转化为系统级的效率提升与可靠性保障。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，高效、稳定的功率开关都是系统心脏般的存在。STI28N60M2凭借其N沟道设计和优化的动态特性，在这些严苛的应用场景中游刃有余。它能够轻松处理高达22A的连续电流，同时将开关过程中的能量损耗降至最低，这意味着您的终端产品不仅能以更低的温升稳定运行，还能帮助用户显著节省能源成本，在市场竞争中赢得绿色与高效的双重口碑。

选择STI28N60M2，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其TO-262（I2PAK）封装提供了优异的功率耗散能力（高达170W），确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它更容易被驱动，可以减少对驱动电路的要求，从而简化您的整体设计，加速产品上市进程。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能确保您稳定获取这颗性能利器，并为您的创新之路保驾护航。让STI28N60M2成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大引擎，开启能效新纪元。

型号:STI28N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:170W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和超低损耗的功率MOSFET吗？STI28N60M2正是为您量身打造的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和22A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值150毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率提升器。优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让开关速度更快、损耗更小，您无需复杂的驱动电路就能轻松驾驭。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STI28N60M2都能帮助您简化设计，提升产品功率密度和可靠性，最终让您的终端产品在性能和能效上脱颖而出。