STL11N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL11N65M5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的答案STL11N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压和8.5A的强大电流能力，瞬间将您的设计基准提升到全新高度。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh先进技术带来的革命性体验：极低的导通电阻意味着更少的能量在器件内部转化为热量，而PowerFLAT 5x5的紧凑封装则让您在寸土寸金的PCB上实现功率密度的最大化。

想象一下，无论是服务器电源中需要稳定高效的能量转换，还是工业电机驱动中要求苛刻的快速开关，甚至是不断追求轻薄化的消费类快充适配器，STL11N65M5都能游刃有余地成为系统的“心脏”。它高达70W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在最严苛的环境下依然稳定可靠，让您的产品从容应对各种挑战，赢得终端用户的持久信赖。

选择STL11N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其背后是ST意法半导体强大的技术支撑和品质保证。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴资深的ST芯片代理将为您提供从选型到量产的一站式服务。这颗芯片集高性能、高可靠性、高集成度于一身，不仅能显著提升您产品的整体效率与竞争力，更能有效简化您的散热设计，降低系统综合成本。立即采用STL11N65M5，让它成为您下一代明星产品中最闪耀的技术基石，共同开启高效节能的新篇章。

型号:STL11N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFLAT（5x5）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL11N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和8.5A的强劲电流输出能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值530毫欧）和超低的栅极电荷。这意味着它能大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时减少发热，提升系统可靠性。

得益于其PowerFLAT 5x5的超薄紧凑封装，它能让您在设计时最大限度地节省PCB空间，非常适合追求高功率密度的现代电子设备。无论是开发高效的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是驱动电机或LED照明，STL11N65M5都能以卓越的电气性能和热性能，助您打造出更节能、更小巧、更具市场竞争力的产品。